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半导体光学材料及制备

         

摘要

<正> O472 97021310注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿=Deep levels and free—carrier compensation innitrogen—implanted GaAs[刊,中]/陈开茅,金泗轩,贾勇强(北京大学物理系.北京(100871)),邱素娟,吕安云,何梅芬(电子工业部第13所.河北,石家庄(050051)),刘鸿飞(北京有色金属研究总院.北京(100088))//物理学报.—1996,45(3).—491—498研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷

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