＜正＞ O484.1 2001042751低能离子注入对CuxS薄膜组分的影响=Modification ofCuxS thin films by low energy ion beam implantation[刊,中]/郑建邦,刘效增,李成全,曹猛,李宁,吴洪才（西安交通大学电信学院.陕西,西安（710049））//半导体光电.-2000,21（3）.-199-202采用N+离子注入的方法,对气-固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂,研究了N+离子注入能量和剂量对CuxS薄膜组分的影响。结果表明,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近于富铜型,样品的
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