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＜正＞ TN244 2000031624二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合=Silicon dioxide encapsulated anneal enhancedquantum well intermixing for InP basedlaser material[刊,中]/韩德俊（北京师范大学低能核物理所.北京（100875））,朱洪亮（中科院半导体所.北京（100083））,Simmons J G,Zhao Q C（Center for ElectrophotonicMaterials and Devices,McMaster University,Canada）//半导体学报.—1999,20（3）.—231-236对SiO2覆盖退火增强InGaAs/InGaAsP/InP激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品,退火时无SiO2覆盖的样品经800℃,30s快速退火

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《中国光学(中英文)》 |2000年第3期|19-20|共2页
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正文语种 chi
中图分类激光材料及工作物质;
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