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＜正＞ TN304.054 2000032158N型GaN的持续光电导=Persistent photoconductivityin N-GaN[刊,中]/汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1999,20（5）.—371-377报道了金属有机物化学气相外延（MOCPE）生长的未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导。在不同温度下观察了光电导的少生和衰变行为。实验结果表明,未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGs

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《中国光学(中英文)》 |2000年第3期|98-98|共1页
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正文语种 chi
中图分类材料;
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