＜正＞ T N252 99055160GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计=Analysis and optimum design on GeSi/SiMQW optical waveguide and absorbtion laver[刊,中]/李娜,李宁,陆卫,沈学础（中科院上海技物所红外物理国家实验室.上海（200083））,李国正,刘恩科（西安交通大学电子工程系.陕西,西安（710049））//红—外与毫米波学报. 1998,17（3）.—203—208根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中,Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响,并结合吸收特点对MQW吸收层结构进行优化设计。图6表1参6（方舟）TN252 990531612D—FDTD法计算波导截止频率的激励源设计=Designof excitation source in computing cut—offfrequencies of waveguides by 2D—FDTD
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