首页> 中文期刊> 《半导体光电》 >1.3μm InGaAsP DCPBH多量子阱激光器

1.3μm InGaAsP DCPBH多量子阱激光器

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报导了发射波长为1.3μm、具有多量子阱有源层的InGaAsP双沟平面隐埋异质结（DCPBH）激光器制作与性能特征。这些激光器在30℃时阈值电流为40～50mA,外微分量子效率50%,在10～60℃温度范围T。值为160至180K。

著录项

来源
《半导体光电》 |1985年第3期|73-74|共2页
作者
N.K.DUTTA; 蒋涛;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 [J] . 劳燕锋 ,曹春芳 ,吴惠桢 . 半导体技术 . 2008,第S1期
2. 1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器 [J] . 张永刚 ,陈建新 ,陈意桥 . 功能材料与器件学报 . 2000,第3期
3. 1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器 [J] . 陈博 ,王圩 ,张静媛 . 半导体学报：英文版 . 1998,第10期
4. 用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器(英文) [J] . 陆羽 ,张靖 ,王圩 . 半导体学报：英文版 . 2003,第9期
5. InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备 [J] . 陈龙海 . 厦门大学学报（自然科学版） . 1996,第5期
6. 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器 [C] . . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器外延生长研究 [A] . 刘伟超 . 2022

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号