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双重吸杂技术在CCD中的应用

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采用双重吸杂硅片作为衬底材料,应用于CCD器件的研制工作已获得良好的效果。它使器件的暗电流明显下降,基本上消除了暗电流尖峰,同时也使器件的其它性能得到改善。目前,双吸除技术已作为一种常规工艺应用于CCD器件的制作。

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来源
《半导体光电》 |1985年第3期|54-58|共5页
作者
陈慕章;
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作者单位

重庆光电技术研究所;

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