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林长贵; 王则如; 黄宗林;
西安交通大学微电子所;
离子注入; 杂质分布; MOS集成电路; 计算方法;
机译:利用热计算分析高铬铸铁共晶生长过程中合金元素的再分布
机译:热退火对纳米Si Fin中掺杂物再分布的影响
机译:离子注入未掺杂和稀土掺杂的大块ZnO样品的光学和结构分析
机译:磷离子注入的热波掺杂剂分析
机译:用于天体物理应用的热X射线探测器:多余的噪声测量和离子注入的硅热敏电阻的特性分析。
机译:直接耦合热退火的脉冲激光沉积一步法制氮掺杂石墨烯薄膜的电分析性能
机译:固态NMR,热重分析和第一性原理计算研究Nb,Ta和Y掺杂的Li2ZrO3的离子动力学和CO2吸收特性
机译:离子注入硅的固相和液相外延生长过程中掺杂剂沉淀和再分布的Z-对比成像
机译:热分析程序热传导率计算方法,热传导率计算装置,热传导率计算程序,热分析方法和热分析设备
机译:导热率计算方法,导热率计算装置,导热率计算程序,热分析方法,热分析装置和热分析程序
机译:热分析模型生成装置,非暂时性计算机可读存储介质,热分析模型生成方法和热分析装置
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