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自洽LMTO方法计算半导体αSn、CdTe的电子结构

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本文将自洽LMTO能带方法应用到半导体开结构情况,如αSn（金刚石结构）、CdTe（闪锌矿结构）。我们采用了空球模型,每个球有一个球对称势,并使用优选法确定出原子球及空球半径的尺寸,计算了它们的能带结构,给出的数据与实验结果能较好地符合。它预示出局域密度泛函能带方法应用到开结构材料的前景。

著录项

来源
《计算物理》 |1984年第2期|187-199|共13页
作者
韩汝珊; 弗里曼;
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作者单位

北京大学物理系;

美国西北大学物理系;

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正文语种 chi
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