双极互补随机存贮器

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＜正＞引言计算技术和集成电路技术的迅速发展,要求并有可能实现半导体随机存贮器朝高密度、低功耗、快速操作方向发展,一般双极电路,由于元件的隔离和实现低功耗所必需的高欧姆值负载电阻,需要占据较大的硅片面积,因此,在功耗和集成度方面都赶不上MOS器件。最近几年迅速发展的双极互补存贮器的特点是少数载流子直接注入。在设计上由于巧妙地运用横向pnp晶体管做负载元件、反向运用的npn晶体管做触发管的合并结构,因此,使双极互补存贮器在功耗和集成度方面可以与MOS存贮相比,而在速度方面却超过普通的MOS存贮器。

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来源
《微电子学与计算机》 |1977年第4期|31-34|共4页
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七机部771所四室;

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