采用TTL型存贮单元的双极型半导体存贮器

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＜正＞前言: 1970年与中国科学院冶金所协作研制出TTL型存贮单元,集成度为1×4（4字1位）,其输入输出接口可直接与标准ECL逻辑电路相连接,不需要专用读写放大器。用该单元已作出64字×48位半导体存贮器样机。周期最高可达100ns,经实际逻辑考验约1700小时,考验周期为166ns,平均稳定时间在286小时,该样机准备正式用于某专用计算机中。

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《微电子学与计算机》 |1977年第4期|1-10|共10页
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57303部队;

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