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半导体表面参数在热电应力下的变化

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＜正＞据西北电讯工程学院在1984年5月报导: 1.在120℃温度应力下,MOS结构的漏电流不仅与电场的大小和时间有关,而且与电场的方向有关.当加负偏压时漏电流变小;加正偏压时漏电流明显增加.而不加电场、只有热应力时,漏电流没有显著变化.

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来源
《微电子学与计算机》 |1985年第2期||共页
作者
俊鹏;
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