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低压化学气相淀积多晶硅工艺

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＜正＞一、前言在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对多晶硅膜的均匀性和质量的要求越来越高。原来的常压冷壁化学气相淀积方法（简称常压CVD技术）已经不能满足这种要求。人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求。自1976年以来,国外相继报导了低压化学

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1981年第6期|52-57|共6页
作者
汪师俊; 孙纪云; 于庆江; 叶惠珍; 王桂霞; 夏酉庭;
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作者单位

骊山微电子公司研究开发部;

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