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PECVD氮化硅技术

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＜正＞等离子体化学汽相淀积（简称PECVD）技术,由于淀积温度低（＜400℃）;台阶覆盖性能好;生成的氮化硅薄膜结构致密;针孔少;具有良好的抗钠、抗潮湿、抗腐蚀性等优点。故已广泛地应用于半导体器件的表面钝化。现以DD-P250型等离子体淀积设备为例进行讨论。该设备由华东师范大学、上海元件

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来源
《微电子学与计算机》 |1986年第6期||共页
作者
陈永兴; 许春芳;
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作者单位

华东师范大学;

华东师范大学;

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