半导体表面反型判则及其原因剖析

邵志标; 刘芸; 胡浩

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半导体表面反型判则及其原因剖析

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＜正＞引言由Si-SiO2界面物理基本关系,建立一个适用的半导体表面反型判则。通过对MOS结构样品的C-V测量,迅速判别工艺线上硅片的反型或接近反型程度,从而决定取舍。为了分析反型原因,进一步对硅片上氧化层所含电荷的状况进行各种分析,包括:（i）非破坏性高频MOS C-V法测量可动电荷密度、不可动电荷密度及总电荷密度;（ii）剥层C-V法测量氧化层中电荷的纵向分布;（iii）热激电流法测量一定范围内的界面态密度,陷阱中心及可动离子密度;（iv）高低温C-V

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来源
《微电子学与计算机》 |1986年第2期||共页
作者
邵志标; 刘芸; 胡浩;
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作者单位

西安交通大学;

西安交通大学;

延河无线电厂;

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正文语种 chi
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