Si对Ni-Cr薄膜电阻性能的影响

郑开甲

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Si对Ni-Cr薄膜电阻性能的影响

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＜正＞一、引言线性集成电路的发展和广泛应用,对薄膜二次混合集成电路提出了愈来愈高的要求。高精度薄膜电阻网络的稳定性已成为大家关心的重要问题,如果这一问题得不到解决,势必影响到薄膜混合集成电路特征的发挥。解决薄膜精密电阻的稳定性,不外从材料和工艺两方面着手。当前,作为精密电阻的材料,主要还是Ni-Cr合金或以Ni-Cr为基加入某些杂质材料。在此方面国外已有研究报导。本工作在此文献基础上结合我们实际条

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来源
《微电子学与计算机》 |1982年第1期|27-32|共6页
作者
郑开甲;
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作者单位

骊山微电子公司;

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