1000V高压P沟扩散自对准MOS集成电路

K.Nakagawa; 郑雷

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1000V高压P沟扩散自对准MOS集成电路

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本项工作的目的是研制一种用于显示驱动的高压p沟MOS集成电路。高压PMOS器件用于等离子显示或真空荧光显示中的电流源驱动器。我们把低压电路和高压PMOS器件集成在同一芯片上。高压PMOS晶体管由横向轻掺杂漂移区（p-）和在低掺杂浓度衬底（v）上的自对准扩散区（DSA）构成,此外,还加了多层场板以确器件体的高可靠性。我们运用了工艺模拟程序SUPREMⅡ使器件的结构和工艺参数达到最佳。这种高压p沟MOS器件具有1000V漏击穿电压,工作在800V漏源电压时,在0.14mm~2的有源区范围内能提供35mA电流,导通电阻低达1.5KΩ。

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来源
《微电子学》 |1986年第6期|54-56|共3页
作者
K.Nakagawa; 郑雷;
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作者单位

夏普公司;

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