具有低通导电阻率的400伏LDMOST

E.H.Stupp; S.Colak; 王巧玉

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具有低通导电阻率的400伏LDMOST

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＜正＞引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(Ron.A)比横向方法提供的低得多。例如,400伏V形槽MOS（VMOS）和纵向双扩散MOS（VDMOS）晶体管,其通导电阻率Ron·A比常规设计的横向MOST的通导电阻率要低6倍之多。然而,纵向晶体的缺点是集

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来源
《微电子学与计算机》 |1982年第4期|64-46|共-17页
作者
E.H.Stupp; S.Colak; 王巧玉;
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