集成注入逻辑器件物理

孙守谟

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在简要地回顾表示构成I~2L基本单元的反向运用多收集极n-p-n晶体管和横向p-n-p晶体管特征的有关器件参数之后,定量地讨论了这种门的电路特性。导出了与单元几何尺寸、扇出、杂质分布及复合特性有关的转移特性、噪声容限和每个门的传播延迟时间的解析表达式。将这些表达式和实验的以及数学计算的电路模拟结果进行了比较。

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来源
《微电子学与计算机》 |1976年第2期|48-58|共11页
作者
孙守谟;
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