小型低功率双极存贮单元

栾心芙

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用混合电路布局方法使用npn和pnp晶体管设计了直流稳定随机存取存贮单元。就目前的制作容差,使用标准的双极工艺制作了2×3矩阵的试验单片。由于元件的合拼,一个单元所需面积只有14密耳~2。而且,单元能在低于每单元0.1微瓦的极低的直流待机功率下工作。尽管待机功率这样低,一个模拟的512位矩阵在脉冲功率下测得了10毫微秒的取数时间。

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来源
《微电子学与计算机》 |1972年第3期|36-43|共8页
作者
栾心芙;
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