开关集电极阻抗存贮器

张永奎

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本文提出了一些新的双极存贮单元,其读/写电流与待机电流之比高达40～200,而普通的存贮单元该比值只能达到0.8～8。在待机条件下,单元的集电极阻抗是很高的,而当存取时,该阻抗就变得很低了。这种器件结构要求熟练地运用诸如薄化外延层或薄化基区作为大电阻或开关阻抗,而使片子面积为最小。电路板测试结果表明,它的取数时间小于4毫微秒,周期时间小于15毫微秒,待机功耗每位是50～200微瓦。利用这种器件结构己制出了一个288位的大规模集成电路（LSI）,其取数时间为4毫微秒,写入时间为4毫微秒。

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来源
《微电子学与计算机》 |1972年第3期|44-56|共13页
作者
张永奎;
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