MOS集成电路的可靠性

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本文介绍有关P沟增强型MOS晶体管集成电路可靠性情报,并讨论其失效类型和失效机构,主要失效机构是表面离子迁移和氧化物短路。介绍不同结构、工艺、应力程度对实验研究结果的影响,并同其他有价值的MOS可靠性情报进行比较。商用全MOS阵列的失效率对于含有大约600个P沟晶体管的阵列在125℃下,每千小时的工作寿命是0.001至0.01.这相当于每个等效门的失效率是5×10-6——5×10-5/千小时。讨论了器件复杂性、工作温度以及其他因素的影响。从有价值的可靠性报导中诱导出MOS集成电路可靠性预测方程。大约5千卡/分子（≈0.2ev/分子）的功能失效机构的总激活能考虑可用于典型的MOS集成电路。于是,工作在50℃环境温度下的MOS器件的失效率,每个等效门可予计为10-6——10-5/千小时。

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来源
《微电子学与计算机》 |1972年第4期|40-50|共11页
作者
刘玉书;
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