大规模集成电路的失效机构

陈桂英

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大规模集成电路的失效机构

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研究了影响大规模集成电路（LSI）可靠性的因素。特别注意了多层引线所需要的工艺步骤对阵列可靠性的影响。附加的重要步骤是在已经金属化LSI园片上低温淀积第二层介质,在第二层介质上腐蚀接触孔,以及进行第二层金属化。也考虑了LSI中另外的趋势,如较小的尺寸和较紧密的空间对可靠性的影响。多层阵列中可能有的新的失效模型是:1)通过或沿着第二层介质增加漏电或短路,2)导线开路或者增大串联电阻,3)硅表面效应。一些同时进行的LSI计划和实验研究的结果补充了有关评论LSI的文章。设计了一些实验片以便提供各种失效机构的基本数据,利用这些实验片所得到的数据评价了多层金属结构,讨论了这种特殊设计的试验片对于工艺研究、工艺控制和可靠性试验的优点和限制。可以得到结论,用适当的工艺控制、试验和筛选,LSI阵列单位功能的可靠性将比普通的集成电路高。

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来源
《微电子学与计算机》 |1972年第4期|51-62|共12页
作者
陈桂英;
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