表面钝化技术

陈桂英; 高存贞

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＜正＞一、前言半导体器件的电学特性一般来说是由构成半导体器件的表面态决定的,而半导体表面特性又受周围气氛很大影响。为了使半导体特性稳定,提高成品率和可靠性,必须设法使半导体表面和周围的气氛隔离开。1959年M.M.Atalla等人提出在硅表面上复盖一层热氧化SiO2膜,后来被平面结构器件采用,大大改善了平面晶体管特性和可靠性。

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来源
《微电子学与计算机》 |1974年第4期|1-14|共14页
作者
陈桂英; 高存贞;
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