多晶平面工艺及其在2048位可编程序唯读存贮器中的应用

毛叶平

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＜正＞美国Harris公司发明的多晶平面工艺主要是根据介质隔离技术原理的一种改进工艺,它对改善隔离性能、集成度以及电路特性等方面具有广阔的前景。通常的集成电路,元件之间的相互隔离是由扩散在N-型外延层里、且同P-型衬底相接的P+隔离墙来保证的（图1）。这就是P-N结隔离技术。但是,这种技术并不完全令人满意,因而,人们就想以介质隔离技术来取代。而Harris所提出的多晶平面新工艺,实际上是一种混合隔离技术。

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来源
《微电子学与计算机》 |1974年第4期|34-35|共2页
作者
毛叶平;
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