辐射环境中的数字逻辑—MOS和双极型工艺的比较

林达全

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >辐射环境中的数字逻辑—MOS和双极型工艺的比较

辐射环境中的数字逻辑—MOS和双极型工艺的比较

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在分析辐射环境对MOS和双极型晶体管所构成的逻辑电路的影响时,必须考虑到永久性效应和瞬态效应这两类不同现象的量值和相互关系。本文唯象地评述了这两类效应,并对现有的而且相互竞争着的MOS和双极型器件的集成电路设计给出了详尽的分析,还讨论了近来器件工艺的改进所提供的有利条件。这些改进包括（1）采用氧化铝作为MOS的绝缘栅材料以代替二氧化硅,（2）调整MOS器件的某些"临界结"的几何形状。这些改进,在脉冲的和定态的核辐射条件下"硬化"集成电路的问题中都加以讨论。作者认为,目前所设计的MOS逻辑器件在空间预期到的核辐射条件下,对永久性损伤还有较高的灵敏度,但MOS工艺技术要获得高抗辐射的电路和系统具有很大的潜在力量。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1972年第1期|29-52|共24页
作者
林达全;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 [J] . 姜柯 ,陆妩 ,胡天乐 . 物理学报 . 2015,第13期
2. MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件 [J] . Bali.BJ ,陈力才 . 国外电力电子技术 . 1990,第2期
3. 总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响 [J] . 蔡俊 ,傅义珠 . 固体电子学研究与进展 . 2010,第4期
4. MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取 [J] . 吴代远 ,王纪民 . 微电子学 . 2002,第5期
5. 双极场引晶体管:V.双极电化电流理论(双MOS栅纯基)(英文) [J] . 揭斌斌 ,薩支唐 . 半导体学报：英文版 . 2008,第4期
6. 双极电压比较器电离辐射效应 [C] . 王义元 ,陆妩 ,任迪远 . 第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 . 2011
7. MOS栅控双极型器件在大电流密度下的逆导特性研究 [A] . 李震洋 . 2016

辐射环境中的数字逻辑—MOS和双极型工艺的比较

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅