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硅活性构型的研究

         

摘要

从硅晶面角度,对面间距、面密度和键密度性能进行研究,发现通过暴露面密度最大面,可提升制粉后硅反应活性。决定硅反应活性的主要因素是原子态势;不同处理方法得到的硅粉活性不同,强弱顺序为:对撞—冲旋—研磨。以磨粉达到生产指标为基准,改用相对活性较好的冲旋粉,可使氯化氢耗量增加,生产出更多三氯氢硅中间体。

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