锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

杨萍; 王宙; 付传起; 张庆乐

首页> 中文期刊> 《材料保护》 >锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10%。

著录项

来源
《材料保护》 |2014年第7期|33-35|共3页
作者
杨萍; 王宙; 付传起; 张庆乐;
展开▼
作者单位

大连大学表面工程中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功能材料;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
真空蒸镀法; 多晶硅薄膜; 组织; 形貌; 晶粒尺寸; 基板距离; 锗掺杂; 晶化率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 玻片基板温度对磷掺杂真空蒸镀多晶硅薄膜的影响 [J] . 迟建华 ,骆旭梁 ,王思源 . 材料保护 . 2015,第12期
2. 磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响 [J] . 骆旭梁 ,王思源 ,王宙 . 材料导报 . 2016,第002期
3. 真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响 [J] . 曹健 ,王宙 ,室谷贵之 . 表面技术 . 2011,第2期
4. 铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜的研究 [J] . 王宙 ,曹健 ,室谷贵之 . 功能材料 . 2012,第005期
5. 基片温度对真空蒸镀Ti/LiNbO3光学薄膜的影响 [J] . 汤卉 ,董鹏展 ,吕杨 . 徐州工程学院学报 . 2018,第003期
6. 二氧化铈对准晶真空蒸镀薄膜的影响 [C] . 周细应 ,上海交通大学 ,宓一鸣 . 第六届中国功能材料及其应用学术会议 . 2007
7. 大规模真空蒸镀二氧化钛薄膜及其表征 [A] . 彭晓光 . 2009

锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅