SiC的高温抗氧化性分析

常春; 陈传忠; 孙文成

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SiC的高温抗氧化性分析

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研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构 ,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响 .碳化硅材料在 136 0℃以下 ,表面氧化较为轻微 ,抗氧化性能稳定 .温度高于 136 0℃后 ,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化 .所形成的表面氧化层与碳化硅基体的分界清晰 ,无过渡区 ,并且始终不能形成致密氧化层 .表面二氧化硅层中除了存在石英和方石英以外 ,还存在非晶态的二氧化硅 .

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来源
《山东大学学报：工学版》 |2002年第6期|581-585|共5页
作者
常春; 陈传忠; 孙文成;
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作者单位

山东大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属－非金属复合材料;金属物理学;
关键词
氧化; 显微结构; 碳化硅电热元件;

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