偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响

徐锋; 左敦稳; 张旭辉; 户海峰; 王珉

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偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响

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合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究。仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降。同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第4期|853-857|共5页
作者
徐锋; 左敦稳; 张旭辉; 户海峰; 王珉;
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作者单位

南京航空航天大学机电学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
立方氮化硼薄膜; 磁控溅射; 衬底偏压; 离子轰击; 立方相;

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