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双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅰ.循环形变行为

         

摘要

在塑性分切应变幅(γpl)为10^(-4)─10^(-2)的范围,研究了双滑移取向([034],[117])和单滑移取向([125])Cu单晶的循环硬化及饱和行为.[034]晶体的初始循环硬化规律与[125]晶体的相似,在γpl小于10^(-3)的范围,硬化速率(θ_(0.2))较低,且不依赖于γpl;当γpl>10^(-3)时,硬化速率随γpl的增加快速上升.[117]晶体在10^(-4)<γpl<5×10^(-3)范围的初始硬化速率显著高于其它二种晶体.二种双滑移取向晶体在快速硬化之后、均有明显的软化现象.[034]晶体的循环应力-应变曲线(CSSC)有一平台区,饱和应力与单滑移晶体的相近,但平台区较短(上限为γpl~4.3×10^(-3)).[117]晶体的CSSC几乎不存在平台区,饱和应力是γpl的单调升函数,与多晶体的CSSC相似.上述循环形变行为与不同滑移系之间的位错反应特点一致.

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