一款高精度宽温度范围TCXO芯片的设计

李晓宇; 徐静平; 钟德刚; 季峰

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一款高精度宽温度范围TCXO芯片的设计

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本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器(TCXO)芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特性表达式中的对应项相符合,求和电路可对各项系数进行单独调整.电路参数的调整范围使得大部分AT切石英晶体均适用于本设计.测试结果表明,在-40℃～105℃的温度范围内,TCXO频率稳定性达到±0.6ppm.

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来源
《微电子学与计算机》 |2012年第1期|57-61|共5页
作者
李晓宇; 徐静平; 钟德刚; 季峰;
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作者单位

华中科技大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
TCXO; 温度补偿; 三次方函数; 五次方函数;

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