含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

闫小兵; 史守山; 贾长江; 张二鹏; 李钗; 李俊颖; 娄建忠; 刘保亭

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采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ(STO)/Pt结构的阻变存储器件单元。器件的有效开关次数可达200次以上。利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1×105s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性。器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上。在9 mA的限制电流下,器件的低阻态为500Ω,有利于降低电路的功耗。氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOχ发挥着氧离子库的作用。阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第5期|1276-1279|共5页
作者
闫小兵; 史守山; 贾长江; 张二鹏; 李钗; 李俊颖; 娄建忠; 刘保亭;
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作者单位

河北大学电子信息工程学院;

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
阻变开关; STO; Ti反应电极; 开关机制; 脉冲激光沉积;

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