S-BPDA／ODA型聚酰亚胺的合成及聚集态结构对薄膜性能的影响

刘贤文; 李曹; 庞忠群; 顾宜

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S-BPDA／ODA型聚酰亚胺的合成及聚集态结构对薄膜性能的影响

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采用两步法和一步法涂膜热酰亚胺化工艺分别制备了S-BPDA/ODA的聚酰亚胺(PI)薄膜。偏光观察发现,一步法制备的薄膜经过250℃以上的温度处理后出现明显的微晶结构,在相同的酰亚胺工艺条件下两步法制备的薄膜没有出现微晶结构。DMA测试表明,一步法与两步法制备的薄膜Tg分别为294℃和276℃;相比两步法,一步法制备的薄膜具有更佳的力学和热稳定性能。分析认为,微晶结构的交联作用和高酰亚胺化程度使一步法制备的薄膜具有更佳的性能。

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来源
《绝缘材料》 |2008年第2期|6-9|共4页
作者
刘贤文; 李曹; 庞忠群; 顾宜;
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作者单位

高分子材料工程国家重点实验室;

四川大学高分子科学与工程学院;

成都610065;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘薄膜;聚酰亚胺类及塑料;
关键词
3; 3’; 4; 4’-联苯四甲酸二酐; 聚酰亚胺; 薄膜; 聚集态结构; 性能;

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