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透明导电氧化物-βGa_2O_3单晶生长的研究进展

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摘要

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |2005年第4期|676-681|共6页
作者
张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军;
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作者单位

中国科学院上海光学精密机械研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
透明导电材料; β-Ga2O3; 单晶体; 浮区法; 衬底;

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