2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

王士伟; 刘斌; 卢威; 严阳阳; 陈淑芬

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2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1GHz时,回波损耗S_(11)为-24.7dB,插入损耗S_(21)为-0.52dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1~10GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.

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来源
《北京理工大学学报》 |2017年第2期|196-200|共6页
作者
王士伟; 刘斌; 卢威; 严阳阳; 陈淑芬;
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作者单位

北京理工大学光电学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
三维集成电路; 转接层; 硅通孔; 低阻硅;

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