高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

张晋; 胡壮壮; 穆文祥; 田旭升; 冯倩; 贾志泰; 张进成; 陶绪堂; 郝跃

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本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV。此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm^2,展示了优异性能。

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来源
《人工晶体学报》 |2020年第11期|2194-2199|共6页
作者
张晋; 胡壮壮; 穆文祥; 田旭升; 冯倩; 贾志泰; 张进成; 陶绪堂; 郝跃;
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作者单位

山东大学晶体材料国家重点实验室;

济南250100;

西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN311.7;
关键词
氧化镓单晶; 导模法; n型掺杂; 肖特基二极管;

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