基于BP神经网络的电子元器件寿命预测

邹心遥; 姚若河

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基于BP神经网络的电子元器件寿命预测

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电子元器件的寿命预测对于制订寿命试验的规划,确定所需的试验时间及试验经费,都有十分重要的指导作用.基于BP神经网络提出了一种电子元器件寿命预测的方法,该方法可对当前样本的未来观测值或未来样本的观测值进行预测.对MOS电容的加速寿命试验数据进行了仿真试验,结果表明该方法可较好地预测MOS电容在相应的应力条件下的失效时间,且精度较高.

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来源
《微电子学与计算机》 |2009年第1期|52-54|共3页
作者
邹心遥; 姚若河;
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作者单位

华南理工大学电子与信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计、性能分析与综合;
关键词
BP神经网络; 寿命预测; 电子元器件; MOS电容;

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