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李晓峰; 张景文; 高鸿楷; 侯洵;
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室;
GaAs; AlGaAs; X射线衍射; 光电阴极; 外延层; 结构特点; 砷化镓; 镓铝砷化合物; 摇摆曲线;
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:透射式指数掺杂GaAs光电阴极的热增强外部光电发射理论研究
机译:GaAs和GaSb外延层横向生长的摇摆曲线成像研究
机译:GaAs光电阴极X射线积分衍射强度研究
机译:GaAs透射光电阴极的分子束外延研究
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:具有优化设计的吸收层的,基于GaAs-AlGaAs的高速GaAs-AlGaAs组合式载流子光电二极管在830 nm波长处的带宽增强现象
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
机译:制备gaas材料的单晶层的方法和gaas材料的单晶层的外延生长的基质
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