SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响

李旺; 巩会玲; 刘宇; 刘兵发; 刘桂华; 杜国平

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采用传统固相反应法制备了不同SiO2掺量的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料,并研究了SiO2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响。结果表明:高温烧结时,SiO2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响。CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO2含量的增多而相应减小。阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO2的掺入而显著增大。分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因。

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来源
《人工晶体学报》 |2009年第6期|1365-1369|共5页
作者
李旺; 巩会玲; 刘宇; 刘兵发; 刘桂华; 杜国平;
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作者单位

南昌大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类天然有机化合物的生产;
关键词
CaCu3Ti4O12; SiO2添加物; 介电性能; 微观结构; 物相结构;

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