基于双掺杂C60:DDQ陷阱的倍增型有机光电探测器

安涛; 吴禧梅; 刘欣颖

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基于双掺杂C60:DDQ陷阱的倍增型有机光电探测器

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采用双掺杂方法,实现了具有高陷阱浓度的有机光电倍增探测器.在优化的单掺杂(活性层为P3HT:PC61BM:C60)器件基础上,保持C60的最优掺杂比例不变(1.0 wt%),同时掺杂C60和DDQ两种电子陷阱,研究不同DDQ掺杂浓度对P3HT:PC61BM活性层中陷阱浓度和探测器光电性能的影响.结果表明,双掺杂C60:DDQ活性层的最大掺杂浓度为1.5 wt%,与单掺杂C60活性层(最大掺杂浓度为1.0 wt%)相比提高了约1.5倍;双掺杂C60:DDQ器件的陷阱浓度为2.02×10^18 cm^-3,与单掺杂C60器件(陷阱浓度为5.83×10^17 cm^-3)相比提高了约3.5倍;在-2 V偏压下,双掺杂C60:DDQ器件的外量子效率高达2015.32%,比单掺杂C60器件(外量子效率为202.60%)提高了约10倍.采用双掺杂方法可以大大提高陷阱浓度,从而实现活性层的高浓度陷阱掺杂.

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来源
《光子学报》 |2020年第10期|72-78|共7页
作者
安涛; 吴禧梅; 刘欣颖;
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作者单位

西安理工大学自动化与信息工程学院;

西安710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体晶体物理;
关键词
有机光电倍增探测器; 双掺杂; 陷阱浓度; 掺杂浓度; 外量子效率;

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