工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源; 蔡以超; 东艳苹; 张力强; 王向阳; 肖红涛; 田鸿昌; 李卫; 郝永亮; 方珍意

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本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大。在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体。

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来源
《人工晶体学报》 |2004年第2期|238-240|共3页
作者
杨曜源; 蔡以超; 东艳苹; 张力强; 王向阳; 肖红涛; 田鸿昌; 李卫; 郝永亮; 方珍意;
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作者单位

中非人工晶体研究院;

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正文语种 chi
中图分类 O782.9;
关键词
CvD法; 制备方法; ZnS晶体; 沉积速率; 红外光学材料;

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