0.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望

郭宝增

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0.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望

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近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为生产这种电路的候选者 ,但这种集成电路最终由哪种光刻技术实现 ,目前还没有确定。文中介绍了其中的几种技术 (即 157nm光学光刻技术、X射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术 )的研究现状 ,并对它们在 0 .

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2000年第3期|281-290|共10页
作者
郭宝增;
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作者单位

河北大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN405.7;
关键词
光刻; X射线光刻; 电子束光刻; 集成电路;

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