A Novel Design and Fabrication of Magnetic Random Access Memory Based on Nano-ring-type Magnetic Tunnel Junctions

X.F.Han H.X.Wei Z.L.Peng H.D.Yang J.F.Feng G.X.Du Z.B.Sun L.X.Jiang Q.H.Qin M.Ma Y.Wang Z.C.Wen D.P.Liu W.S.Zhan State

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有层的 Nano-ring-type 磁性的隧道连接( NR-MTJs )组织 ofTa ( 5 )/Ir_( 22 )Mn_( 78 )( 10 )/Co_( 75 )Fe_( 25 )( 2 ) /Ru ( 0.75 )/Co_( 60 )Fe_( 20 )B_( 20 )( 3 ) /AI ( 0.6 ) -oxide/Co_(60)Fe_(20)B_(20)(2.5)/Ta(3)/Ru(5)(thickness unit:nm )在磁控管劈啪作响免职与光平版印刷术，电子 beamlithography ( EBL )和蚀刻 techniques.The 的 Ar 离子横梁相结合的 Si ( 100 ) /SiO2 substrateusing 上是制作nano 的有约 50 和 100 nm 并且也的 inner-andouter-diameter 的更小的 NR-MTJs 他们的

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来源
《材料科学技术：英文版》 |2007年第3期|304-306|共3页
作者
X.F.Han H.X.Wei Z.L.Peng H.D.Yang J.F.Feng G.X.Du Z.B.Sun L.X.Jiang Q.H.Qin M.Ma Y.Wang Z.C.Wen D.P.Liu W.S.Zhan State;
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作者单位

Key Laboratory of Magnetism;

Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics;

Institute of Physics;

Chinese Academy of Science;

Beijing 100080;

China;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类随机存取存贮器;磁学性质;
关键词
纳米环形磁性隧道结; 自旋极化; 磁性随机存取存储器; 设计; 制造;

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