空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响

牟强; 姚毅; 张方辉; 靳宝安; 蒋谦

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空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响

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为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(Xnm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm:质量分数4.5%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光器件,其中X为空穴注入层2T-NATA厚度。分析了2T-NATA的蒸镀厚度分别0,5,10,15,20,25,30,35nm时器件的发光性能。结果表明,2T-NATA的HOMO能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,引入空穴注入层2T-NATA提高了器件的发光亮度和效率。当2T-NATA厚度为15nm时,器件的效果最好,起亮电压只需2.87V,亮度最高达到18000cd/m2,是不引入空穴注入层亮度的5倍多,在12V时发光效率可达11.4cd/A。

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来源
《半导体技术》 |2010年第3期|256-259|共4页
作者
牟强; 姚毅; 张方辉; 靳宝安; 蒋谦;
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作者单位

陕西科技大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
空穴注入层; 2T—NATA; 有机电致发光器件; 发光效率; 真空蒸镀;

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