工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究

于盛旺; 刘艳青; 唐伟忠; 申艳艳; 贺志勇; 唐宾

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使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响。在CH4浓度由0.5%上升到1.0%时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.0%上升到2.5%时,则由(111)转变为(220)以及(311);在700～1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长;在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加。当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第4期|868-871|共4页
作者
于盛旺; 刘艳青; 唐伟忠; 申艳艳; 贺志勇; 唐宾;
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作者单位

太原理工大学表面工程研究所;

北京科技大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
金刚石膜; 高功率MPCVD; 工艺参数; 择优取向;

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