长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制

齐利芳; 李献杰; 赵永林; 尹顺政; 蔡道民; 李宁; 甄红楼; 熊大元; 陆卫

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介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。

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来源
《微纳电子技术》 |2009年第7期|396-399|共4页
作者
齐利芳; 李献杰; 赵永林; 尹顺政; 蔡道民; 李宁; 甄红楼; 熊大元; 陆卫;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

中国科学院上海技术物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类红外线探测器件;
关键词
量子阱; 红外探测器; 双色; 双周期光栅; 长波;

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