一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化

王荣超; 王立新; 邢心润; 王琳; 罗家俊

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一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化

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基于电荷补偿原理的超结VDMOS(Super-Junction VDMOS,SJVDMOS)器件,比传统的VDMOS具有更低的比导通电阻,更高的击穿电压.文中详细介绍了超结VDMOS元胞设计步骤,之后借助TCAD仿真对超结VDMOS的击穿电压和比导通电阻进行了深入优化,探究了电荷不平衡、漂移区厚度、衬底反向扩散以及表面结构等对击穿电压和比导通电阻的影响.对元胞结构的优化使得超结VDMOS由最初的击穿电压为587V,比导通电阻为7.27mΩ·cm2,优化到最终的击穿电压为662.5V,比导通电阻为6.85mΩ·cm2,性能得到明显改善.

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来源
《微电子学与计算机》 |2018年第11期|67-72|共6页
作者
王荣超; 王立新; 邢心润; 王琳; 罗家俊;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

中国科学院大学;

中国科学院硅器件技术重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
超结VDMOS; 比导通电阻; 击穿电压; 结构优化;

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