用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

陈亮; 陈新宇; 张有涛; 杨磊

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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

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南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2015年第2期|F0003-F0003|共1页
作者
陈亮; 陈新宇; 张有涛; 杨磊;
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作者单位

南京电子器件研究所;

国博电子有限公司;

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类相控阵雷达;
关键词
相控阵雷达; 射频芯片; T/R组件; CMOS工艺; 南京电子器件研究所; SOI; ESD保护电路; 中频放大器;

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