硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备

韩喻; 谢凯; 李宇杰; 许静

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硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备

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探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响。结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充,同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下,增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度,有助于反opal结构的形成。

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来源
《半导体技术》 |2007年第6期|481-485|共5页
作者
韩喻; 谢凯; 李宇杰; 许静;
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作者单位

国防科学技术大学材料工程与应用化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
三维光子晶体; 反蛋白石结构; Si凹槽; 直角波导;

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